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PI薄膜层间厚度比与其耐电晕性的关系

点击次数:1040    发布日期:2020-05-14   本文链接://www.kemesee.com/news/902.html

      对五种不同厚度比例的三层复合PI薄膜和Kapton 100 CR薄膜进行了耐电晕时问测试.测试过程中每种薄膜取5个试样进行相对独立实验,也采取威伯尔分布函数法来进行数据处理.可以得到5组三层复合薄膜的耐电晕时间分别为54.8 h、57.9 h、107.3 h、92。6 h、82.9 h,得到Kapton 100 CR薄膜的耐电晕时间为48 h。

      可以看出,自制的5种掺杂厚度比不同的三层复合PI薄膜的耐电晕时间均大于Kapton 100 CR.随着掺杂PI层相对厚度的增大,三层复合PI薄膜的耐电晕时间呈现先增大后减小的趋势,三层厚度比例d :d :d。=0.42:1:0.42的三层复合PI薄膜的耐电晕时间*长,为107.3 h,是相同条件下Kapton 100 CR耐电晕时间的2倍以上。
kapton CR薄膜
      根据陷阱理论,在聚合物中引入纳米粒子后,会在材料内部形成大量的陷阱结构,这些陷阱可以俘获由电极注入的载流子.被俘获的载流子会形成空间电荷电场,不仅可以阻碍载流子的进一步注入,还能缩短载流子的平均自由程,使载流子的末速度变小,削弱其对有机/无机相界面结构的破坏作用.随着掺杂PI层厚度比例的增大,相当于引人了更多的陷阱结构,增大了对载流子迁移的阻碍作用,使三层复合PI薄膜的耐电晕性能提高。

      另一方面由上面击穿场强的分析可知,随着掺杂PI层厚度比例的增大,各层分配场强均增加.所以,随着掺杂PI层厚度比例的增大,载流子在进入材料内部后由于电场的加速作用获得的能量就越大,使得载流子对材料的破坏作用增强,并且,载流子也能在碰撞的过程中将能量转移,产生热能,破坏材料内部的化学结构,加速材料的老化击穿,从而使耐电晕性能下降。
综上两种原因,使三层复合PI薄膜的耐电晕时间随掺杂PI层相对厚度的增大呈现先增大后减小的趋势.应该适当选择厚度比例,以便使击穿性能、耐电晕性能都得到适当的提高。



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