对五种不同厚度比例的三层复合PI薄膜和Kapton 100 CR薄膜进行了耐电晕时问测试．测试过程中每种薄膜取5个试样进行相对独立实验，也采取威伯尔分布函数法来进行数据处理．可以得到5组三层复合薄膜的耐电晕时间分别为54．8 h、57．9 h、107．3 h、92。6 h、82．9 h，得到Kapton 100 CR薄膜的耐电晕时间为48 h。
可以看出，自制的5种掺杂厚度比不同的三层复合PI薄膜的耐电晕时间均大于Kapton 100 CR．随着掺杂PI层相对厚度的增大，三层复合PI薄膜的耐电晕时间呈现先增大后减小的趋势，三层厚度比例d ：d ：d。=0．42：1：0．42的三层复合PI薄膜的耐电晕时间*长，为107．3 h，是相同条件下Kapton 100 CR耐电晕时间的2倍以上。
根据陷阱理论，在聚合物中引入纳米粒子后，会在材料内部形成大量的陷阱结构，这些陷阱可以俘获由电极注入的载流子．被俘获的载流子会形成空间电荷电场，不仅可以阻碍载流子的进一步注入，还能缩短载流子的平均自由程，使载流子的末速度变小，削弱其对有机／无机相界面结构的破坏作用．随着掺杂PI层厚度比例的增大，相当于引人了更多的陷阱结构，增大了对载流子迁移的阻碍作用，使三层复合PI薄膜的耐电晕性能提高。
另一方面由上面击穿场强的分析可知，随着掺杂PI层厚度比例的增大，各层分配场强均增加．所以，随着掺杂PI层厚度比例的增大，载流子在进入材料内部后由于电场的加速作用获得的能量就越大，使得载流子对材料的破坏作用增强，并且，载流子也能在碰撞的过程中将能量转移，产生热能，破坏材料内部的化学结构，加速材料的老化击穿，从而使耐电晕性能下降。
综上两种原因，使三层复合PI薄膜的耐电晕时间随掺杂PI层相对厚度的增大呈现先增大后减小的趋势．应该适当选择厚度比例，以便使击穿性能、耐电晕性能都得到适当的提高。
