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集成电路中金属铜薄膜应用

点击次数:1931    发布日期:2015-05-08   本文链接://www.kemesee.com/news/464.html

      集成电路中金属铜薄膜布线具有高的导电性和低的电迁移性,已逐渐取代了金属铝.随着铜互连体的高密度集成,铜薄膜的厚度已接近亚微米甚至纳米尺度,铜薄膜通常是通过物理、化学气相沉积或电沉积等方法沉积在具有扩散阻挡层的基板上,然后使用刻蚀等微加工手段形成高密度的铜薄膜互连体布线,在温度变化的情况下,由于与基板的热膨胀系数不同,铜薄膜内产生的热应力或热循环应力,导致铜薄膜发生单向或循环变形、甚至破坏。因此,对铜薄膜的力学性能的研究,测量其强度并澄清铜薄膜的变形行为具有重要的理论和实际应用价值。

      但是,样品夹持等问题使无支持超薄铜薄膜强度的测量成为一个难题.人们采用诸如热循环法或微悬臂梁法等方法测试薄膜的力学性能,用热循环法测得的是双轴应力状态下的屈服强度,不能直接给出材料的单轴屈服强度;而在微悬臂梁法测试过程中材料所处的应力状态较为复杂,且样品的制备需要进行微加工。因此,寻找一种单轴加载测量薄膜屈服强度的方法具有重要的意义。聚酰亚胺(Polyimide,PI)是一种分子主链中含有酰亚胺基团的芳杂环高分子化合物,具有较低的介电常数、良好的化学稳定性和高度的曲挠性等优点,目前广泛应用于微电子的柔性基板、薄形微电子机构和硬板间连接的软性线路板上。在微电子设备及集成电路中,PI既可以作为芯片中层间钝化膜,又可以作为应力缓冲层。同时,PI薄膜还作为多层金属互连电路中的层间介电绝缘膜.PI薄膜具有较好的弹性,用它作为弹性基体可以测量金属薄膜的某些力学性能,如拉伸屈服强度和疲劳性能等。


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